晶体电离度检测

检测项目

1.载流子浓度：测量范围110~110⁰cm⁻，精度3%

2.霍尔系数：分辨率0.01cm/C，温度范围77-500K

3.电导率：测试频率1Hz-1MHz，误差≤2%

4.活化能：温度梯度控制0.5K/min

5.缺陷密度：空间分辨率≤1μm，检出限110⁴cm⁻

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)单晶及薄膜

2.离子晶体：氟化锂(LiF)、氯化钠(NaCl)等卤化物晶体

3.压电材料：锆钛酸铅(PZT)、石英晶体

4.热电材料：碲化铋(Bi₂Te₃)、硒化锡(SnSe)

5.光学晶体：铌酸锂(LiNbO₃)、蓝宝石(Al₂O₃)

检测方法

1.ASTMF76:霍尔效应测试标准方法

2.ISO14707:二次离子质谱法测定杂质浓度

3.GB/T1551-2021:硅单晶电阻率测定规范

4.IEC60404-13:高温电导率测试规程

5.GB/T35008-2018:宽禁带半导体载流子浓度测试方法

检测设备

1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：支持DC-IV/CV/脉冲测试

2.Lakeshore8400系列霍尔效应测试系统：磁场强度2T

3.AgilentE4980ALCR表：频率范围20Hz-2MHz

4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：导电AFM模式

5.OxfordInstrumentsMicrostatHe低温恒温器：温控精度0.1K

6.ThermoScientificPrimaide质谱仪：质量分辨率0.01amu

7.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪：空间分辨率0.5μm

8.ZEM-3热电特性测量系统：温差范围300-900K

9.KeysightB1500A半导体分析仪：最小电流分辨率10fA

10.VeecoDektakXT轮廓仪：台阶高度测量精度1

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.