晶体长大法检测

检测项目

1.晶粒尺寸分布：测量范围0.1-500μm，分辨率0.05μm

2.晶体取向偏差：角度测量精度0.1，EBSD标定率≥95%

3.位错密度测定：检测下限110⁶cm⁻，TEM放大倍数50k-800k

4.亚晶界角度分析：测量范围2-15，步长0.5

5.再结晶分数测定：XRD半高宽法误差≤3%，EBSP统计面积≥200μm

检测范围

1.半导体材料：单晶硅片(111)/(100)晶向、GaAs衬底

2.金属合金：钛合金β相变体、铝合金再结晶组织

3.陶瓷材料：氧化锆四方相含量、碳化硅晶须取向

4.高分子结晶材料：聚乙烯球晶尺寸、聚丙烯α/β晶型比例

5.光学晶体：LiNbO₃畴结构、CaF₂双折射均匀性

检测方法

ASTME112-13平均晶粒尺寸测定标准

ISO13383-1:2012显微结构特征定量分析

GB/T13298-2015金属显微组织检验方法

GB/T23414-2009微束分析术语规范

ASTME2627-13EBSD系统校准规程

ISO24173:2009电子背散射衍射取向测量

检测设备

1.蔡司Sigma500场发射扫描电镜：配备OxfordSymmetryEBSD探测器

2.BrukerD8AdvanceX射线衍射仪：配置LynxEye阵列探测器

3.FEITalosF200X透射电镜：STEM模式分辨率0.16nm

4.KeyenceVHX-7000数字显微镜：3D表面重建精度0.1μm

5.MalvernMastersizer3000激光粒度仪：测量范围0.01-3500μm

6.LeicaDM2700P偏光显微镜：配备Clemex图像分析模块

7.ShimadzuAIM-9000红外热像仪：温度分辨率0.03℃

8.NetzschDSC214差示扫描量热仪：升温速率0.01-100K/min

9.Agilent5500原子力显微镜：接触模式分辨率0.1nm

10.OxfordInstrumentsAztecEnergyEDS系统：元素分析范围B-U

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.