金属半导体检测

检测项目

1. 电导率测试：测量范围1×10⁻⁸~1×10⁴ S/cm，精度±0.5%

2. 载流子浓度分析：霍尔效应法测定1×10¹²~1×10²⁰ cm⁻³

3. 迁移率测量：温度范围77-500K，误差≤3%

4. 缺陷密度检测：腐蚀坑密度法分辨率≥1×10³ cm⁻²

5. 热导率测试：稳态法测量0.1-2000 W/(m·K)

6. 元素深度剖析：SIMS纵向分辨率＜5nm

检测范围

1. 硅基半导体材料（单晶硅/多晶硅/非晶硅）

2. III-V族化合物（GaAs/GaN/InP）

3. 金属互连薄膜（铜/铝/钨薄膜）

4. 封装焊料合金（SnAgCu/SnPb系）

5. 二维电子气材料（AlGaN/GaN异质结）

6. 热电材料（Bi₂Te₃/SiGe合金）

检测方法

1. ASTM F76-08(2016)：霍尔效应参数标准测试

2. ISO 20203:2005：X射线衍射法测定晶体取向

3. GB/T 1551-2009：硅单晶电阻率四探针法

4. IEC 60749-28:2017：半导体器件热特性测试

5. JIS H 0605-1995：硅片表面缺陷显微镜检验

6. GB/T 35007-2018：化合物半导体X射线荧光分析

检测设备

1. Keithley 4200A-SCS参数分析仪：支持DC-IV/CV特性测试

2. Thermo Scientific K-Alpha XPS：表面元素化学态分析

3. Bruker D8 Advance XRD：晶体结构表征精度0.0001°

4. Agilent 5500 AFM：纳米级表面形貌与电势分布测量

5. Netzsch LFA 467 HT HyperFlash：激光法热扩散系数测定

6. Oxford Instruments PlasmaPro 100 CVD：薄膜沉积质量监控

7. Hitachi SU8200 FE-SEM：5nm分辨率微观结构观测

8. HORIBA LabRAM HR Evolution：微区拉曼光谱分析

9. Keysight B1505A功率器件分析仪：击穿电压测试至10kV

10. Veeco Dimension Icon PT-TOF SIMS：三维元素成像系统

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.