二次离子谱法检测

检测项目

1. 表面元素分析：检测元素种类及相对丰度，检出限≤1 ppm；

2. 深度剖析：纵向分辨率≤5 nm，最大分析深度10 μm；

3. 同位素比值测定：精度±0.1%（如¹⁸O/¹⁶O）；

4. 有机分子成像：空间分辨率≤200 nm（TOF-SIMS模式）；

5. 界面缺陷表征：掺杂浓度误差≤3%（如Si/SiO₂界面）。

检测范围

1. 半导体材料：硅基芯片、GaN外延层、III-V族化合物；

2. 金属合金：高温合金涂层、钛基生物植入物；

3. 生物样品：骨组织钙磷分布、药物缓释微粒；

4. 地质样品：锆石U-Pb定年、陨石同位素异常；

5. 聚合物材料：共混物界面扩散、光刻胶残留分析。

检测方法

1. ASTM E1504-11：静态SIMS表面污染物定量规程；

2. ISO 18118:2015：溅射产额校正与基体效应修正；

3. GB/T 17359-2012：微束分析能谱/质谱通则；

4. ASTM E1078-14：深度剖析数据标准化流程；

5. GB/T 29731-2013：半导体材料表面杂质SIMS测试方法。

检测设备

1. CAMECA IMS 7f：磁扇区质谱仪，配备Cs⁺/O^-双源，实现0.5 μm成像分辨率；

2. TOF.SIMS 5（ION-TOF GmbH）：飞行时间质谱仪，质量分辨率＞20,000（m/Δm）；

3. NanoSIMS 50L（CAMECA）：多接收器系统，支持7个离子同步检测；

4. PHI nanoTOF II（ULVAC-PHI）：脉冲团簇离子源（Ar₂₅₀₀⁺），降低有机样品损伤；

5. SIMS Workstation（Hiden Analytical）：配备HPR60探针，气体解吸率＜1×10^-9 mbar·L/s；

6. ATOMIKA 4500：双束聚焦系统（Ga⁺/O₂⁺），深度剖析速率＞1 μm/min；

7. TRIFT III（Physical Electronics）：三重聚焦飞行时间设计，质量精度±0.002 Da；

8. J105 SIMS Scalar（Ionoptika）：高通量束流系统（1 pA-100 nA），适用大面积扫描。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.