磁阻效应检测

检测项目

1. 磁阻比（MR Ratio）：测量磁场强度0-2T范围内电阻变化率ΔR/R₀≥5%

2. 线性度误差：在额定工作磁场下非线性偏差≤±1.5%FS

3. 温度系数（TCR）：-40℃~150℃温区内电阻变化率≤0.05%/℃

4. 各向异性参数：晶体取向偏差角≤3°时的磁阻响应差异

5. 频率响应特性：1Hz-10MHz频段内信号衰减量≤3dB

检测范围

1. 磁性薄膜材料：包括NiFe合金膜、CoFeB多层膜等软磁材料

2. 磁传感器组件：AMR/GMR/TMR型传感器芯片及封装模组

3. 磁存储器件：硬盘读写磁头、MRAM存储单元阵列

4. 汽车电子元件：轮速传感器、电子助力转向系统霍尔元件

5. 医疗成像设备：MRI梯度线圈用高导磁复合材料

检测方法

ASTM A932-2018《软磁材料直流磁特性测试规程》

ISO 19860:2019《磁性传感器动态响应测试方法》

GB/T 13888-2020《磁性薄膜材料电阻率测试规范》

GB/T 13889-2021《各向异性磁阻元件特性测量方法》

IEC 60404-7:2020《磁性材料高温特性试验程序》

检测设备

Lake Shore 475型数字高斯计：量程±3T，分辨率0.1mT

Keysight B2902A精密源表：电流分辨率10fA，电压精度±0.02%

Quantum Design PPMS综合物性测量系统：温控范围1.9K-400K

TDK三维亥姆霍兹线圈系统：均匀区直径200mm，场强稳定性±0.05%

Agilent E4990A阻抗分析仪：频率范围20Hz-120MHz，基本精度0.8%

Oxford Instruments Teslatron PT低温超导磁体：最大场强9T，均匀度±0.01%

Keithley 2182A纳伏表：最小分辨率1nV，噪声抑制比＞120dB

Neocera Cryogenic探针台：支持4点法/范德堡法电阻测量结构

Bruker D8 Discover XRD系统：晶体取向分析精度±0.001°

ESPEC T-242恒温恒湿箱：温度波动度±0.3℃，湿度控制范围20-98%RH

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.