表面势检测

检测项目

表面电势绝对值测量：范围5kV，分辨率0.1V

表面电荷密度分析：测量精度5%，量程0.1-1000nC/cm

表面电势衰减速率：时间分辨率1ms，衰减时间常数τ≥0.1s

空间电势分布成像：扫描精度2μm，成像分辨率512512像素

温度依赖性测试：温控范围-50℃~200℃，温控精度0.5℃

检测范围

半导体材料：硅晶圆、GaN衬底、碳化硅基板等

绝缘材料：陶瓷基板、聚酰亚胺薄膜、环氧树脂复合材料

生物医用材料：人工关节涂层、药物载体纳米颗粒

功能涂层：防静电涂料、光伏背板氟膜

柔性电子器件：OLED显示基材、石墨烯导电薄膜

检测方法

非接触式Kelvin探针法：ASTMD4470-18标准

振动电容法：ISO2931:2020标准

静电电位计法：GB/T31838.2-2019标准

表面电位衰减法：IEC61340-2-1:2015标准

扫描探针显微技术：GB/T35099-2018标准

检测设备

Kelvin探针力显微镜（KP-020）：实现10nm级空间分辨率的表面电势成像

TrekModel347静电电位计：量程20kV，响应时间＜1ms

KeysightB1505A功率器件分析仪：支持DC-10MHz动态电势测试

BrukerDimensionIcon原子力显微镜：集成SSRM模块用于纳米级电势测量

ESPECPCT-320环境试验箱：温湿度可控条件下的长期稳定性测试

Keithley6517B静电计：最小可测电流0.01fA的电荷量分析

OmicronUHV-SPM系统：超高真空环境下的表面态密度测量

HIOKIIM3570阻抗分析仪：介电材料表面阻抗特性测试

ZetasizerNanoZSP系统：纳米颗粒Zeta电位与表面电荷表征

Agilent4156C精密半导体参数分析仪：半导体界面态密度测量

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.