静态随机存取存储器检测

检测项目

1.静态噪声容限（SNM）：测量存储单元在0.8V-1.2V工作电压下的最小稳定电压差

2.读写时序特性：包括读取时间（tRC≤10ns）、写入恢复时间（tWR≤15ns）

3.待机电流（IDD2）：常温25℃下待机模式电流≤5μA

4.数据保持电压（VDR）：最低保持电压≤0.6V@85℃

5.温度循环测试：-40℃至125℃范围内1000次循环后功能验证

检测范围

1.CMOS工艺节点SRAM（28nm/14nm/7nm制程）

2.抗辐射加固型航天级SRAM

3.低功耗IoT用Sub-thresholdSRAM

4.高速缓存用eSRAM（嵌入式静态存储器）

5.3D堆叠封装TSV互联SRAM模块

检测方法

1.电性能测试：ASTMF1241-2018半导体存储器直流参数标准

2.时序分析：JEDECJESD79-4DDDR4SDRAM标准第6.3章

3.可靠性测试：GB/T15878-2021半导体器件耐久性试验方法

4.环境试验：MIL-STD-883KMethod1010温度循环测试

5.信号完整性：IEC61967-4集成电路电磁发射测量标准

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持nA级漏电流测量

2.AdvantestT2000测试系统：集成1024通道并行测试能力

3.TektronixDPO73304SX示波器：33GHz带宽时序分析

4.ThermoStreamT-2900温度试验箱：-70℃至+225℃快速温变

5.CascadeSummit12000探针台：支持12英寸晶圆级测试

6.AgilentN6705B直流电源分析模块：多通道动态功耗监测

7.ESPECSH-261恒温恒湿箱：10%RH~98%RH湿度控制

8.Chroma3380PXI存储器功能测试机：Pattern深度128Mbit

9.NIPXIe-4139源测量单元：1fA分辨率静态电流测试

10.XilinxVCU118验证平台：FPGA原型功能仿真

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.