检测项目
1.晶面指数标定:通过XRD或EBSD确定{hkl}指数组
2.晶面间距测量:精度0.01(0.1-10范围)
3.取向偏差分析:角度偏差0.1(0-90范围)
4.晶格畸变率测定:分辨率达0.05%应变
5.织构系数计算:基于极图数据的ODF分析
检测范围
1.半导体材料:硅(Si)、砷化镓(GaAs)等单晶衬底
2.金属单晶:镍基高温合金、钛合金定向凝固件
3.光学晶体:氟化钙(CaF₂)、铌酸锂(LiNbO₃)等
4.陶瓷材料:氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)压电陶瓷
5.薄膜材料:氮化镓(GaN)外延层、金刚石涂层
检测方法
1.X射线衍射法:ASTME915(残余应力)、GB/T23414-2018(微结构分析)
2.电子背散射衍射:ISO24173:2009(取向测量)
3.透射电子显微镜:GB/T28871-2012(高分辨成像)
4.同步辐射分析:ISO/TS21432:2021(三维重构)
5.拉曼光谱法:ASTME1840(应力场分布)
检测设备
1.RigakuSmartLabX射线衍射仪:配备高分辨率测角器(0.0001精度)
2.FEINovaNanoSEM450扫描电镜:集成EDAXEBSD探测器
3.BrukerD8DISCOVERX射线系统:支持微区μ-XRD分析(50μm光斑)
4.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜:原子级晶面成像(0.08nm分辨率)
5.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台:配置高温附件(1600℃环境测试)
6.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统:高速采集(3000点/秒)
7.BrukerDimensionIcon原子力显微镜:纳米级表面形貌表征
8.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪:共聚焦模式(1μm空间分辨率)
9.ZeissXradia620Versa显微CT:三维晶体结构重建(0.7μm体素)
10.ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM:原位截面制备与分析
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自改制以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。