掺杂氧化物扩散检测

检测项目

1.掺杂元素浓度分布：采用点扫描与面扫描结合方式，精度达0.1at%，测量范围0.01-20wt%

2.扩散深度测定：通过逐层剥离技术实现纳米级分辨率（5nm），最大测量深度500μm

3.晶格畸变率分析：XRD半高宽法测定晶格应变度（0.01%-2%），误差≤0.005%

4.氧空位密度梯度：PL光谱法测量空间分辨率10μm，密度范围10⁶-10⁰cm⁻

5.热稳定性测试：高温退火实验（300-1500℃），监测元素迁移速率（μg/(cmh)）

检测范围

1.半导体材料：硅基氧化物薄膜（SiO₂:Er+）、氮化镓掺杂氧化层（GaN:MgO）

2.光学镀膜材料：氧化铪（HfO₂:Y）红外增透膜、氧化锌（ZnO:Al）透明导电膜

3.高温合金材料：镍基合金表面氧化铝扩散层（Al₂O₃:Cr₂O₃）

4.锂电正极材料：钴酸锂掺杂氧化物（LiCoO₂:Al₂O₃）

5.陶瓷基复合材料：氧化锆增韧氧化铝（ZTA:CeO₂）梯度功能层

检测方法

1.ASTME112-13：电子探针微区成分定量分析方法

2.ISO14703:2022：薄膜材料界面扩散系数测定标准

3.GB/T13301-2020：金属材料表面扩散层厚度测量方法

4.ASTMF1529-21：二次离子质谱深度剖析技术规范

5.GB/T13302-2018：晶体缺陷密度X射线衍射测定法

6.ISO21207:2021：加速腐蚀试验测试氧化层稳定性

7.GB/T25915-2021：洁净室环境颗粒污染控制标准

检测设备

1.FEINovaNanoSEM450场发射扫描电镜：配备EDAXOctaneElite能谱仪，实现5nm空间分辨率成分分析

2.ThermoScientificK-AlphaX射线光电子能谱仪：单色化AlKα光源（1486.6eV），能量分辨率<0.5eV

3.CAMECAIMS7f二次离子质谱仪：Cs+离子源溅射速率0.1-50nm/s，质量分辨率M/ΔM≥10,000

4.RigakuSmartLabX射线衍射仪：9kW旋转阳极光源，配备高温附件（最高1600℃）

5.HORIBAGD-Profiler2辉光放电光谱仪：射频模式深度分辨率3nm，元素检出限0.1ppm

6.J.A.WoollamM-2000UI椭圆偏振光谱仪：190-2500nm宽光谱范围，膜厚测量精度0.1nm

7.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：峰值力轻敲模式实现0.1nm垂直分辨率

8.NetzschSTA449F5同步热分析仪：TG-DSC联用系统（室温-1550℃），温度精度0.1℃

9.OxfordInstrumentsPlasmaPro100ICP刻蚀系统：Ar+离子束能量50-1000eV可调

10.Agilent7900ICP-MS：氦碰撞模式消除质谱干扰，检出限达ppt级

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.