界面陷阱电荷检测

检测项目

1. 阈值电压漂移（ΔVth）：测量范围±5V，分辨率0.01V

2. 平带电压偏移（ΔVfb）：精度±10mV

3. 界面态密度（Dit）：检测下限1×10⁹ cm⁻²eV⁻¹

4. 电荷俘获时间常数（τ）：测量范围1μs-100s

5. 栅极漏电流特性（Ig）：灵敏度0.1pA@25℃

检测范围

1. SiC/GaN宽禁带半导体外延层

2. MOS（金属-氧化物-半导体）结构器件

3. 功率MOSFET/IGBT栅氧层

4. 闪存单元隧穿氧化层

5. 光电探测器异质结界面

检测方法

1. 电容-电压法（C-V）：依据ASTM F1248-20

2. 深能级瞬态谱（DLTS）：参照ISO 18562-3:2017

3. 电荷泵技术：符合GB/T 15874-2020

4. 热激电流法（TSC）：执行IEC 60749-34:2020

5. 紫外光电子能谱（UPS）：采用GB/T 35031-2018

检测设备

1. Keithley 4200A-SCS参数分析仪：支持高精度C-V/I-V特性测试

2. Agilent B1505A功率器件分析仪：最大电压3000V/电流1000A

3. Keysight E4980AL精密LCR表：频率范围20Hz-2MHz

4. Lake Shore CRX-VF低温探针台：温控范围4K-500K

5. Thermo Fisher ESCALAB Xi+ XPS系统：空间分辨率<3μm

6. Oxford Instruments PlasmaPro 100 RIE：等离子体损伤测试专用

7. HORIBA Scientific UVISEL 2椭偏仪：膜厚测量精度±0.1nm

8. Advantest D6000图形发生器：支持纳秒级脉冲信号输出

9. Cascade Summit 12000探针台：12英寸晶圆兼容配置

10. Bruker Dimension Icon原子力显微镜：导电AFM模式分辨率1nm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.