晶格平面检测

检测项目

1. 晶面间距测量：精度±0.001Å（X射线衍射法）

2. 晶面取向偏差分析：角度分辨率≤0.1°（EBSD技术）

3. 晶格畸变量化：应变灵敏度1×10^-4（HR-TEM）

4. 表面台阶高度测定：垂直分辨率0.1nm（AFM非接触模式）

5. 缺陷密度统计：最小可检缺陷尺寸10nm（SEM-EDS联用）

检测范围

1. 半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)基片

2. 金属合金材料：钛合金(Ti-6Al-4V)、镍基高温合金(IN718)

3. 功能陶瓷材料：氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)

4. 薄膜涂层体系：PVD/CVD沉积的硬质/光学薄膜

5. 复合材料界面：碳纤维增强聚合物(CFRP)界面结合区

检测方法

ASTM E112-13 晶粒度测定标准

ISO 24173:2009 电子背散射衍射(EBSD)测试通则

GB/T 13305-2008 金属材料X射线衍射测定残余应力

GB/T 19501-2013 微束分析 电子背散射衍射分析方法

ASTM F1811-19 原子力显微镜表面形貌测量规程

ISO 16700:2016 扫描电镜性能表征方法

检测设备

1. Rigaku SmartLab X射线衍射仪：配备9kW旋转阳极光源，支持高/低角度衍射模式

2. FEI Nova NanoSEM 450场发射扫描电镜：分辨率1nm@15kV，集成EDAX EBSD探测器

3. Bruker Dimension Icon原子力显微镜：峰值力轻敲模式，最大扫描范围90μm

4. JEOL JEM-ARM300F球差校正透射电镜：点分辨率0.08nm，STEM-HAADF成像系统

5. Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器：采集速度4000点/秒，Hough分辨率≥70

6. Malvern Panalytical Empyrean XRD平台：配置三轴测角仪，2θ角度范围0-168°

7. Zeiss LSM 900激光共聚焦显微镜：垂直分辨率10nm，支持3D表面重构

8. Keysight 9500 AFM系统：声学噪声隔离设计，Z轴线性度±0.5%

9. Hitachi Regulus 8230冷场发射SEM：加速电压0.5-30kV，低电压高分辨模式

10. Bruker D8 Discover XRD系统：配备VANTEC-500二维探测器，快速相分析能力

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.