大规模集成电路检测

检测项目

1. 电性能测试：包含漏电流（1nA-10μA）、工作电压（0.8V-12V）、开关频率（1MHz-5GHz）及功耗（μW级至W级）等核心参数

2. 三维结构分析：测量互连层厚度（10nm-5μm）、通孔直径（50nm-200nm）、线宽偏差（±3nm）及层间对准精度（≤15nm）

3. 热特性测试：测定结温升速率（℃/ms级）、热阻系数（0.1-5℃/W）及高温工作稳定性（125℃/1000h）

4. 材料成分检测：分析金属层纯度（Au≥99.99%、Cu≥99.95%）、介电材料k值（2.5-3.9）及焊料合金比例（SnAgCu 96.5/3.0/0.5）

5. 可靠性验证：执行温度循环（-55℃~150℃/1000次）、机械冲击（1500G/0.5ms）及THB试验（85℃/85%RH/1000h）

检测范围

1. 逻辑芯片：包括7nm以下制程的CPU/GPU/FPGA等高性能计算单元

2. 存储器芯片：涵盖3D NAND闪存（128层以上）及LPDDR5X DRAM产品

3. 模拟集成电路：功率管理IC（Buck转换器效率≥95%）及高速ADC/DAC器件

4. 射频集成电路：5G毫米波前端模块（28/39GHz频段）及Wi-Fi 6E射频收发器

5. MEMS传感器：三轴加速度计（±16g量程）及压力传感器（0-200kPa范围）

检测方法

1. 电性能测试依据ASTM F1241-2018及GB/T 17573-2021标准执行I-V/C-V曲线测量

2. 微观结构分析采用ISO 14606:2015规定的TEM/STEM观测规范

3. 热特性测试参照JEDEC JESD51-14标准建立热仿真模型

4. 材料成分检测遵循GB/T 16525-2019半导体材料化学分析方法

5. 可靠性试验严格按MIL-STD-883K Method 1015进行环境应力筛选

检测设备

1. Keysight B1500A半导体参数分析仪：支持0.1fA分辨率电流测量及100MHz脉冲生成

2. Thermo Fisher Helios G4 UX聚焦离子束系统：实现亚5nm分辨率的截面制备与成像

3. Olympus LEXT OLS5000激光共聚焦显微镜：具备0.01nm纵向分辨率的3D形貌重建能力

4. Agilent 4294A精密阻抗分析仪：在40Hz-110MHz频段完成介电特性表征

5. ESPEC T3-424温度循环箱：提供±3℃均匀度的快速温变条件（25℃←→150℃≤10s）

6. Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪：执行晶格常数测定（精度±0.0001nm）

7. Tektronix DPO70000SX示波器：70GHz带宽支持56Gbps SerDes信号完整性分析

8. Hitachi SU9000场发射电镜：配备EDS系统实现纳米级元素分布测绘

9. Cascade Summit 12000探针台：支持300mm晶圆全自动参数测试

10. Thermo Scientific Prima PRO质谱仪：检出限达ppb级的痕量杂质分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.