六极混频管检测

检测项目

1. 反向击穿电压（V_BR）：测试范围0-500V±1%，击穿电流阈值≤1μA

2. 截止频率（f_T）：测量范围1MHz-40GHz±0.5dB

3. 噪声系数（NF）：10MHz-18GHz频段内≤4.0dB±0.2dB

4. 转换损耗（L_C）：LO功率+7dBm时≤6.5dB±0.3dB

5. 隔离度（ISO）：端口间隔离≥30dB@10GHz±0.5dB

检测范围

1. 硅基半导体六极混频管（Si/SiGe材料体系）

2. 砷化镓微波混频管（GaAs基片厚度100-500μm）

3. 氮化镓高功率混频模块（GaN功率密度≥5W/mm）

4. 低温共烧陶瓷封装器件（LTCC基板介电常数5.0-7.5）

5. 表面贴装型微型化混频组件（尺寸≤3×3×1mm³）

检测方法

1. IEC 60747-5:2017《半导体器件分立器件第5部分：光电子器件》

2. ASTM F1241-22《微波半导体器件噪声系数测试规程》

3. GB/T 4586-2017《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

4. MIL-STD-750F方法3015《击穿电压测试》

5. JESD22-A108F《温度、湿度及偏置寿命试验》

检测设备

1. Keysight N5247B PNA-X网络分析仪（10MHz-67GHz）

2. R&S FSW67频谱分析仪（最高分析频率67GHz）

3. Tektronix AWG70002A任意波形发生器（50GS/s采样率）

4. Agilent B1505A功率器件分析仪（3000V/1500A测试能力）

5. Cascade Summit 12000探针台（温度范围-65℃~300℃）

6. Thermotron SM-32C温湿度试验箱（温控精度±0.5℃）

7. Chroma 19032-L射频信号源（输出频率达20GHz）

8. Anritsu MG3697C模拟信号发生器（最高输出频率70GHz）

9. ESPEC T3系列三综合试验箱（振动+温湿度+高度模拟）

10. Keithley 2636B双通道源表（100fA分辨率电流测量）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.