中析研究所实验室进行的硅酸镓镧检测,会为您提供有害物质含量、外观缺陷等检测服务,并出具严谨、合规、标准的第三方检测报告。
检测范围
单晶原棒、四硼酸锂单晶等。
检测项目
外观缺陷:机械损伤、裂纹、色差等缺陷检测;
有害物质含量:铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚、镉等;
规格尺寸、断面方向、直径、厚度、尺寸公差、外观质量、晶向偏离度、体积密度、电弹性能指标、相对自由介电常数、弹性劲度常数检测、压电应力常数、应力常数、机电耦合系数检测等。
参考标准
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2413 压电陶瓷材料体积密度测量方法
GB/T 2414.2 压电陶瓷材料性能试验方法长条横向长度伸缩振动模式
GB/T 3389-2008 压电陶瓷材料性能测试方法性能参数的测试
GB/T 11310 压电陶瓷材料性能测试方法相对自由介电常数温度特性的测试
SJ/T 11365 电子信息产品中有毒有害物质的检测方法
JC/T 2148-2012 硅酸镓镧压电晶体
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自改制以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。