外延片检测

中析研究所旗下CMA实验室进行的外延片检测，可测样品：硅外延片、铜铟镓硫化物外延片、纳米线外延片等，会为您提供薄膜厚度、波长调制特性、折射率等检测服务，并出具严谨、合规、标准的第三方检测报告。标准参考:GB/T 14015-1992 硅--蓝宝石外延片、GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片、SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法等。

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检测范围

硅外延片、蓝宝石外延片、砷化镓外延片、磷化铟外延片、氮化镓外延片、碳化硅外延片、氮化硅外延片、锗外延片、铜铟镓硫化物外延片、硒化铟外延片、锗硅外延片、氮化铝外延片、氮化镓铝外延片、氮化硼外延片、纳米线外延片、磁性外延片等。

检测项目

薄膜厚度、膜层结构、杂质含量、晶体质量、晶粒尺寸、载流子浓度、电阻率、霍尔系数、磁滞回线、光谱响应、光电转换效率、波长调制特性、谐振腔特性、边缘发光强度、漏电流、暗电流、漏光、谐振模式、损耗、反射率、折射率、带隙、载流子迁移率、晶体结构、化学成分、氧化层分析、界面粗糙度、电容-电压特性、热处理效果、温度特性等。

技术相关、费用详情或其他测试项目请咨询工程师!

参考周期:常规测试7-15工作日,加急测试5个工作日.

检测仪器(部分)：

X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)等。

检测方法(部分)：

厚度测量：通过显微镜、探针站等设备测定外延片的厚度，判断其是否符合标准。

晶体质量检测：通过X射线双晶衍射仪、激光扫描共聚焦显微镜等设备检测外延片的晶体质量，包括晶格结构、缺陷类型、密度等，判断其是否符合标准。

电学性能检测：通过霍尔效应测试、电容测试、电阻测试等方法测量外延片的电学性能，如载流子浓度、迁移率、电阻率等，判断其是否符合标准。

光学性能检测：通过光谱仪、显微镜等设备测量外延片的光学性能，如透过率、发射率、反射率等，判断其是否符合标准。

耐热性检测：通过高温热处理等方法检测外延片的耐热性，判断其是否能够耐受高温加工或使用环境。

参考标准

GB/T 14015-1992 硅--蓝宝石外延片

GB/T 14139-2019 硅外延片

GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

GB/T 30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法

GB/T 30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法

GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片

GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片

GB/T 35310-2017 200mm硅外延片

GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范

DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外延片通用技术要求

DL/T 2310-2021 电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件

SJ 1549-79 硅外延片(暂行)

SJ 20514-1995 微波功率晶体管用硅外延片规范

SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片

SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).